понедельник, 30 декабря 2013 г.

Новый чип памяти DDR4 в 4 Гб от Samsung.

Новый  чип памяти  в 4 Гб  от  Samsung могут поставить  уже в новых моделях смартфонов.
Подумайте память в 3 Гб в смартфоне Galaxy Note 3 это было много?  Компания только что представила первый чип разрядностью 8 - гигабитный и объёмом память 1 Гб и низким энергопотреблением чип памяти стандарта DDR4 , на основе этого можно построить  4 Гб оперативную память в многослойном исполнении для использования в мобильных устройствах.


С большей пропускной способностью в 3.1Gbps DDR стандарта должны также обеспечить здоровенный на 50 процентов прирост скорости по сравнению с нынешним DDR3 на базе стандартных чипов , хотя новые микросхемы будут использовать на 40 % меньше электоэнергии, чем его предки.

 Samsung только обещал, что массовое производство новой памяти  начнётся с 2014 года, но уже сейчас понятно, какая у этой памяти целевая аудитория. Технология будет подходить для ноутбуков, смартфонов и планшетов с ультра дисплеями формата HD, где дополнительная память будет иметь решающее значение для питания всех лишних пикселей.

Комментариев нет:

Отправить комментарий